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  • Transistor NPN 60 V 1 A 180 MHz SOT-89

    Transistor NPN 60 V 1 A 180 MHz SOT-89

    Universal-Transistoren, NXP. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-89, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 60 V, Transitfrequenz: 180 MHz, Verlustleistung: 1.35 W, Verstärkung: 63 ...250, Verstärkung max.: 250, Verstärkung min.: 63, Transistor...

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  • Transistor NPN 45 V 0.1 A 250 MHz SOT-23

    Transistor NPN 45 V 0.1 A 250 MHz SOT-23

    Universal-Transistoren, NXP. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 250 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 380 ...630, Verstärkung max.: 630, Verstärkung min.: 380, Transistor

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  • MOSFET N 60 V 0.3 A 1.6 ? SOT-23 N, 350 mW

    MOSFET N 60 V 0.3 A 1.6 ? SOT-23 N, 350 mW

    MOSFET, NXP. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Verlustleistung: 350 mW, MOSFET N 60 V 0.3 A 1.6 ? SOT-23

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  • MOSFET N 60 V 100 A 4.1 m? PQFN-8 (3x3)

    MOSFET N 60 V 100 A 4.1 m? PQFN-8 (3x3)

    HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-8 (3x3), Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, MOSFET N 60 V 100 A 4.1 m? PQFN-8 (3x3)

    Marke : ir

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  • MOSFET N 100 V 61 A 143 W 13.9 m? TO-263

    MOSFET N 100 V 61 A 143 W 13.9 m? TO-263

    HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: TO-263, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 143 W, MOSFET N 100 V 61 A 143 W 13.9 m? TO-263

    Marke : ir

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  • MOSFET N 60 V 0.015 A 5 ? @ 200 mA, 10 V SOT-23 N, 0.33 W

    MOSFET N 60 V 0.015 A 5 ? @ 200 mA, 10 V SOT-23 N, 0.33 W

    MOSFETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.33 W, MOSFET N 60 V 0.015 A 5 ? @ 200 mA, 10 V SOT-23

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  • Transistor NPN/NPN 45 V 100 mA MHz SOT-363

    Transistor NPN/NPN 45 V 100 mA MHz SOT-363

    Bipolare Transistoren. Bezeichnung: Transistor, Marking: K1F, Gehäusetyp: SOT-363, Polarität: NPN/NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 200 mW, Verstärkung: 200 ...450, Verstärkung max.: 450, Verstärkung min.:...

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  • Leistungstransistor NPN 80 V 1.5 A 1.25 W TO-126

    Leistungstransistor NPN 80 V 1.5 A 1.25 W TO-126

    Leistungstransistoren, ST. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Verlustleistung: 1.25 W, Verstärkung: 63 ...160, Verstärkung max.: 160, Verstärkung min.: 63, Leistungstransistor NPN 80...

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  • Leistungstransistor PNP -120 V -8 A 62.5 W TO-220

    Leistungstransistor PNP -120 V -8 A 62.5 W TO-220

    NF-Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -120 V, Verlustleistung: 62.5 W, Verstärkung: 750 ..., Verstärkung min.: 750, Leistungstransistor PNP -120 V -8 A 62.5 W TO-220

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