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  • Leistungstransistor PNP -60 V -10 A 70 W TO-220

    Leistungstransistor PNP -60 V -10 A 70 W TO-220

    Leistungstransistoren, ST. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -60 V, Transitfrequenz: 2 MHz, Verlustleistung: 70 W, Verstärkung: 20 ...70, Verstärkung max.: 70, Verstärkung min.: 20, Leistungst

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  • MOSFET N 500 V 10 A 0.48 ? TO-220FP N, 30 W

    MOSFET N 500 V 10 A 0.48 ? TO-220FP N, 30 W

    Power MOSFETs N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220FP, Polarität: N, Verlustleistung: 30 W, MOSFET N 500 V 10 A 0.48 ? TO-220FP

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  • MOSFET N 100 V 180 A 4.3 m? TO-220 N, 370 W

    MOSFET N 100 V 180 A 4.3 m? TO-220 N, 370 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 370 W, MOSFET N 100 V 180 A 4.3 m? TO-220

    Marke : ir

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  • Leistungstransistor NPN 60 V 1.5 A 12 W TO-126

    Leistungstransistor NPN 60 V 1.5 A 12 W TO-126

    Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 60 V, Verlustleistung: 12 W, Verstärkung: 40 ...250, Verstärkung max.: 250, Verstärkung min.: 40, Leistungstransistor NPN 60 V 1.5...

    Marke : on semiconductor

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  • IGBT-Modul 1200 V 160 A @ Tc=25 °C 1.8 SEMITRANS 2 3 x M5 12

    IGBT-Modul 1200 V 160 A @ Tc=25 °C 1.8 SEMITRANS 2 3 x M5 12

    IGBT-Module, SPT, Halbbrücken, SEMITRANS. Bezeichnung: IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M5 x 12, Befestigung: 2 x M6, Gehäusetyp: SEMITRANS 2, Konfiguration: Half-Bridge, Abschalt-Verlustenergie: 10.2 mJ, Einschalt-Verlustenergie: 15 mJ, Kollektor-Emitter Spannu

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  • MOSFET N 200 V 3.8 A 99.9 m? PQFN-8 (5x6) N, 3.6 W

    MOSFET N 200 V 3.8 A 99.9 m? PQFN-8 (5x6) N, 3.6 W

    HEXFET Power MOSFET. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-8 (5x6), Polarität: N, Verlustleistung: 3.6 W, MOSFET N 200 V 3.8 A 99.9 m? PQFN-8 (5x6)

    Marke : ir

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  • Transistor PNP -45 V -500 mA 100 MHz TO-92 BL

    Transistor PNP -45 V -500 mA 100 MHz TO-92 BL

    Kleinleistungstransistoren, Diotec. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 625 mW, Verstärkung: 250 ...600, Verstärkung max.: 600, Verstärkung min.:...

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  • Unijunction FET PN 300 mW TO-92

    Unijunction FET PN 300 mW TO-92

    Unijunction-Transistoren (UJT). Bezeichnung: Unijunction FET, Gehäusetyp: TO-92, Polarität: PN, Durchlassstrom: 150 mA, Verlustleistung: 300 mW, Unijunction FET PN 300 mW TO-92

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  • MOSFET N 60 V 100 A 4.1 m? PQFN-8 (3x3)

    MOSFET N 60 V 100 A 4.1 m? PQFN-8 (3x3)

    HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-8 (3x3), Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, MOSFET N 60 V 100 A 4.1 m? PQFN-8 (3x3)

    Marke : ir

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