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  • MOSFET N 60 V 195 A 2.4 m? D2PAK N, 294 W

    MOSFET N 60 V 195 A 2.4 m? D2PAK N, 294 W

    Power MOSFETs, D2PAK, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 294 W, MOSFET N 60 V 195 A 2.4 m? D2PAK

    Marke : ir

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  • IGBT 600 V 60 A 1.85 125 ns TO-247AD

    IGBT 600 V 60 A 1.85 125 ns TO-247AD

    IGBTs. Bezeichnung: IGBT, Gehäusetyp: TO-247AD, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 600 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 1.85 V, Stromabfallzeit: 125 ns, Verlustleistung: 270 W, IGBT 600 V 60 A 1.85 V 125 ns TO-247AD

    Marke : ixys

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  • Transistor PNP 80 V 1 A 150 MHz SOT-223

    Transistor PNP 80 V 1 A 150 MHz SOT-223

    Bipolare Transistoren. Bezeichnung: Transistor, Marking: BCP5310, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Transitfrequenz: 150 MHz, Verlustleistung: 2 W, Verstärkung: 40 ...250, Verstärkung max.: 250, Verstärkung min.: 40,...

    Versanddauer: 72 Tage

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  • MOSFET N 30 V 3.8 A 39 m? @ A, 10 V SOT-23 N, 1.4 W

    MOSFET N 30 V 3.8 A 39 m? @ A, 10 V SOT-23 N, 1.4 W

    MOSFETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.4 W, MOSFET N 30 V 3.8 A 39 m? @ 3.8 A, 10 V SOT-23

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  • MOSFET P 20 V 3.6 A 23 m? @ 4 A, 4.5 V SOT-23 P, 0.81 W

    MOSFET P 20 V 3.6 A 23 m? @ 4 A, 4.5 V SOT-23 P, 0.81 W

    MOSFETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.81 W, MOSFET P 20 V 3.6 A 23 m? @ 4 A, 4.5 V SOT-23

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  • Transistor PNP -45 V -1.5 A SOT-223

    Transistor PNP -45 V -1.5 A SOT-223

    NF-Transistoren SMD. Bezeichnung: Transistor, Marking: BCP 5116, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -45 V, Verlustleistung: 1.5 W, Verstärkung: 100 ...250, Verstärkung max.: 250, Verstärkung min.: 100, Transistor PNP -45...

    Marke : infineon

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  • Transistor NPN 45 V 0.1 A 250 MHz SOT-23

    Transistor NPN 45 V 0.1 A 250 MHz SOT-23

    Universal-Transistoren, NXP. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 250 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 380 ...630, Verstärkung max.: 630, Verstärkung min.: 380, Transistor

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  • MOSFET N 60 V 0.3 A 1.6 ? SOT-23 N, 350 mW

    MOSFET N 60 V 0.3 A 1.6 ? SOT-23 N, 350 mW

    MOSFET, NXP. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Verlustleistung: 350 mW, MOSFET N 60 V 0.3 A 1.6 ? SOT-23

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  • MOSFET N 40 V 90 A 1.9 m? IPAK N, 140 W

    MOSFET N 40 V 90 A 1.9 m? IPAK N, 140 W

    Power MOSFETs, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Verlustleistung: 140 W, MOSFET N 40 V 90 A 1.9 m? IPAK

    Marke : ir

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