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  • Transistor NPN/NPN 65 V 100 mA MHz SOT-363-6

    Transistor NPN/NPN 65 V 100 mA MHz SOT-363-6

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-363-6, Polarität: NPN/NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 65 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 380 mW, Verstärkung: 200 ...450, Verstärkung max.: 450,...

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor PNP 60 V 600 mA 200 MHz SOT-23

    Transistor PNP 60 V 600 mA 200 MHz SOT-23

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: 60 V, Transitfrequenz: 200 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Verstärkung: 100 ...300, Verstärkung max.: 300, Verstärkung

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor NPN 40 V 600 mA 300 MHz SOT-23

    Transistor NPN 40 V 600 mA 300 MHz SOT-23

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 40 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Verstärkung: 50 ...300, Verstärkung max.: 300, Verstärkung...

    Marke : on semiconductor

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  • Kleinleistungs-FET N 300 V 200 mA 12 ? @ 150 mA 1.6 W SOT-89

    Kleinleistungs-FET N 300 V 200 mA 12 ? @ 150 mA 1.6 W SOT-89

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-89, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 200 mA, Verlustleistung: 1.6 W, Kleinleistungs-FET N 300 V 200 mA 12 ? @ 150 mA 1.6 W SOT-89

    Marke : microchip

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  • Kleinleistungs-FET N 350 V 180 mA 35 ? @ 150 mA 0.36 W SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 350 V 180 mA 35 ? @ 150 mA 0.36 W SOT-23

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 180 mA, Verlustleistung: 0.36 W, Kleinleistungs-FET N 350 V 180 mA 35 ? @ 150 mA 0.36 W SOT-23

    Marke : microchip

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  • Transistor NPN 50 V 100 mA 200 SOT-23-3

    Transistor NPN 50 V 100 mA 200 SOT-23-3

    Digitale Transistoren mit Widerständen, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 50 V, Verlustleistung: 246 mW, Transistor NPN 50 V 100 mA 200 SOT-23-3

    Marke : on semiconductor

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  • MOSFET N 40 V 195 A 1.2 m? D2PAK N, 375 W

    MOSFET N 40 V 195 A 1.2 m? D2PAK N, 375 W

    Power MOSFETs, D2PAK, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 375 W, MOSFET N 40 V 195 A 1.2 m? D2PAK

    Marke : ir

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  • MOSFET N 40 V 195 A 1.1 m? D2PAK N, 231 W

    MOSFET N 40 V 195 A 1.1 m? D2PAK N, 231 W

    Power MOSFETs, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 231 W, MOSFET N 40 V 195 A 1.1 m? D2PAK

    Marke : ir

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  • Transistor PNP 80 V 1 A 145 MHz SOT-89

    Transistor PNP 80 V 1 A 145 MHz SOT-89

    Universal-Transistoren, NXP. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-89, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Transitfrequenz: 145 MHz, Verlustleistung: 1.3 W, Verstärkung: 63 ...250, Verstärkung max.: 250, Verstärkung min.: 63, Transistor...

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