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  • MOSFET Uni-direktional 60 V 1 A 2 W 300 m? SOIC-8

    MOSFET Uni-direktional 60 V 1 A 2 W 300 m? SOIC-8

    Low-Side-Schalter, MOSFET, AUIPS. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -40...+150 °C, Gehäusetyp: SOIC-8, Polarität: Uni-direktional, Verlustleistung: 2 W, MOSFET Uni-direktional 60 V 1 A 2 W 300 m? SOIC-8

    Marke : ir

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  • MOSFET N 40 V 100 A 7 m? D2PAK N, 2 W

    MOSFET N 40 V 100 A 7 m? D2PAK N, 2 W

    Power MOSFETs, D2PAK, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -40...+150 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 2 W, MOSFET N 40 V 100 A 7 m? D2PAK

    Marke : ir

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  • Kleinleistungs-FET N 50 V 200 mA 3.5 ? @ mA, 5 V mW SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 50 V 200 mA 3.5 ? @ mA, 5 V mW SOT-23

    Kleinsignal-FET, ON Semiconductor. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Drain Strom: 200 mA, Verlustleistung: 200 mW, Kleinleistungs-FET N 50 V 200 mA 3.5 ? @ 200 mA, 5 V 200 mW SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • MOSFET N 40 V 340 A 1.75 m? TO-220 N, 380 W

    MOSFET N 40 V 340 A 1.75 m? TO-220 N, 380 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 380 W, MOSFET N 40 V 340 A 1.75 m? TO-220

    Marke : ir

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  • MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220 N, 375 W

    MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220 N, 375 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 375 W, MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220

    Marke : ir

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  • Leistungstransistor NPN 400 V 300 mA 1 W E-Line

    Leistungstransistor NPN 400 V 300 mA 1 W E-Line

    Leistungstransistoren, bedrahtet. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: E-Line, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 400 V, Verlustleistung: 1 W, Verstärkung: ...300, Verstärkung max.: 300, Leistungstransistor NPN 400 V 300 mA 1 W E-Line

    Versanddauer: 72 Tage

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  • Kleinleistungs-FET N 400 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Kleinleistungs-FET N 400 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 150 mA, Verlustleistung: 15 W, Kleinleistungs-FET N 400 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Marke : microchip

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  • MOSFET N/P 20 V 2.4 A 140 m? MICRO8 N/P, 1.25 W

    MOSFET N/P 20 V 2.4 A 140 m? MICRO8 N/P, 1.25 W

    Power MOSFETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: MICRO8, Polarität: N/P, Verlustleistung: 1.25 W, MOSFET N/P 20 V 2.4 A 140 m? MICRO8

    Marke : ir

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  • Leistungstransistor NPN 250 V 16 A W TO-3

    Leistungstransistor NPN 250 V 16 A W TO-3

    Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 250 V, Transitfrequenz: 4 MHz, Verlustleistung: 250 W, Verstärkung: 15 ...60, Verstärkung max.: 60, Verstärkung min.: 15, Leistungstransi

    Marke : on semiconductor

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