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    • MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

      MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

      Marke : IR

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      HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 79 W, MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

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      MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

      HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlu...

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    • IGBT-Modul 1200 V 78 A @ Tc=25 °C 3.0 34 mm 3 x M5

      IGBT-Modul 1200 V 78 A @ Tc=25 °C 3.0 34 mm 3 x M5

      Marke : Infineon

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      IGBT. Bezeichnung: IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M5, Befestigung: 2 x M6, Gehäusetyp: 34 mm, Konfiguration: Half-Bridge, Kollektor-Emitter Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 3.0 V, IGBT-Modul 1200 V 78 A @ Tc=25 °C 3.0 V 34 mm 3 x M5

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      IGBT-Modul 1200 V 78 A @ Tc=25 °C 3.0 34 mm 3 x M5

      IGBT. Bezeichnung: IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M5, Befestigung: 2 x M6, Gehäusetyp: 34 mm, Konfiguration: Half-Bridge, Kollektor-Emitter Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspann...

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    • IGBT-Modul 1200 V 420 A @ Tc=25 °C 2.6 62 mm 3 x M6

      IGBT-Modul 1200 V 420 A @ Tc=25 °C 2.6 62 mm 3 x M6

      Marke : Infineon

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      IGBT-Module. Bezeichnung: IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M6, Befestigung: 4 x M6, Gehäusetyp: 62 mm, Konfiguration: Half-Bridge, Abschalt-Verlustenergie: 23 mJ, Einschalt-Verlustenergie: 22 mJ, Kollektor-Emitter Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungssp

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      IGBT-Modul 1200 V 420 A @ Tc=25 °C 2.6 62 mm 3 x M6

      IGBT-Module. Bezeichnung: IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M6, Befestigung: 4 x M6, Gehäusetyp: 62 mm, Konfiguration: Half-Bridge, Abschalt-Verlustenergie: 23 mJ, Einschalt-Verlustenergie: 22 m...

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    • Darlington-Transistor NPN 80 V 4 A 750 ... TO-126

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      Darlington-Transistoren. Bezeichnung: Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Verlustleistung: 40 W, Verstärkung: 750 ..., Verstärkung min.: 750, Darlington-Transistor NPN 80 V 4 A 750 ... TO-126

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      Darlington-Transistor NPN 80 V 4 A 750 ... TO-126

      Darlington-Transistoren. Bezeichnung: Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Verlustleistung: 40 W, Verstärkung: 750 ..., Verstärkung...

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    • Leistungstransistor PNP -60 V -10 A 70 W TO-220

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      Leistungstransistoren, ST. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -60 V, Transitfrequenz: 2 MHz, Verlustleistung: 70 W, Verstärkung: 20 ...70, Verstärkung max.: 70, Verstärkung min.: 20, Leistungst

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      Leistungstransistor PNP -60 V -10 A 70 W TO-220

      Leistungstransistoren, ST. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -60 V, Transitfrequenz: 2 MHz, Verlustleistung: 70 W, Verstärk...

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    • Transistor NPN 30 V 100 mA 300 MHz SOT-23 VE=3000 PC

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      Kleinsignal-Transistoren. Bezeichnung: Transistor, Marking: 1K, Breite des Bandes: 8 mm, Gehäusetyp: SOT-23, Pitch (Lochabstand auf Band): 4 mm, Polarität: NPN, Rollendurchmesser: 180 mm (7""), Kollektor-Emitter Spannung: 30 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Ve

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      Transistor NPN 30 V 100 mA 300 MHz SOT-23 VE=3000 PC

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    • MOSFET N 60 V 16 A 80 m? TO-220 N, 45 W

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      Power MOSFETs N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 45 W, MOSFET N 60 V 16 A 80 m? TO-220

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      MOSFET N 60 V 16 A 80 m? TO-220 N, 45 W

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    • MOSFET N 500 V 10 A 0.52 ? TO-220 N, 125 W

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      Power MOSFETs N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 125 W, MOSFET N 500 V 10 A 0.52 ? TO-220

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      MOSFET N 500 V 10 A 0.52 ? TO-220 N, 125 W

      Power MOSFETs N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 125 W, MOSFET N 500 V 10 A 0.52 ? TO-220

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    • MOSFET N 500 V 10 A 0.48 ? TO-220FP N, 30 W

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      Power MOSFETs N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220FP, Polarität: N, Verlustleistung: 30 W, MOSFET N 500 V 10 A 0.48 ? TO-220FP

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      MOSFET N 500 V 10 A 0.48 ? TO-220FP N, 30 W

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    makroaudio.de

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