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  • MOSFET 500 V 1 A SOT-89-3 MOSFET, SOT-89-3, V, A, 0.74 W

    MOSFET 500 V 1 A SOT-89-3 MOSFET, SOT-89-3, V, A, 0.74 W

    MOSFET-Transistoren. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-89-3, Variante: Verarmungstyp, Verlustleistung: 0.74 W, MOSFET 500 V 1 A SOT-89-3

    Marke : microchip

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  • Kleinleistungs-FET N 300 V 200 mA 12 ? @ 150 mA 0.74 W TO-92

    Kleinleistungs-FET N 300 V 200 mA 12 ? @ 150 mA 0.74 W TO-92

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: TO-92, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 200 mA, Verlustleistung: 0.74 W, Kleinleistungs-FET N 300 V 200 mA 12 ? @ 150 mA 0.74 W TO-92

    Marke : microchip

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  • Kleinleistungs-FET N 450 V 200 mA 20 ? @ 150 mA 0.74 W TO-92

    Kleinleistungs-FET N 450 V 200 mA 20 ? @ 150 mA 0.74 W TO-92

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: TO-92, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 200 mA, Verlustleistung: 0.74 W, Kleinleistungs-FET N 450 V 200 mA 20 ? @ 150 mA 0.74 W TO-92

    Marke : microchip

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  • Kleinleistungs-FET N 400 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Kleinleistungs-FET N 400 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 150 mA, Verlustleistung: 15 W, Kleinleistungs-FET N 400 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Marke : microchip

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  • Kleinleistungs-FET N 350 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Kleinleistungs-FET N 350 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 150 mA, Verlustleistung: 15 W, Kleinleistungs-FET N 350 V 150 mA 25 ? @ 120 mA 15 W TO-220

    Marke : microchip

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  • MOSFET N 25 V 100 A 2.2 m? PDFN-8 (5x6 mm) N, W

    MOSFET N 25 V 100 A 2.2 m? PDFN-8 (5x6 mm) N, W

    Power-MOSFETs, Hochgeschwindigkeits-N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: PDFN-8 (5x6 mm), Polarität: N, Verlustleistung: 2.2 W, MOSFET N 25 V 100 A 2.2 m? PDFN-8 (5x6 mm)

    Marke : microchip

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  • MOSFET N 25 V 100 A 6 m? PDFN-8 (5x6 mm) N, 2.2 W

    MOSFET N 25 V 100 A 6 m? PDFN-8 (5x6 mm) N, 2.2 W

    Power-MOSFETs, Hochgeschwindigkeits-N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: PDFN-8 (5x6 mm), Polarität: N, Verlustleistung: 2.2 W, MOSFET N 25 V 100 A 6 m? PDFN-8 (5x6 mm)

    Marke : microchip

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  • Kleinleistungs-FET N 500 V 13 mA 1000 ? @ 0.5 mA 360 mW SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 500 V 13 mA 1000 ? @ 0.5 mA 360 mW SOT-23

    Kleinsignal-FET, Microchip. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Verarmungstyp, Drain Strom: 13 mA, Verlustleistung: 360 mW, Kleinleistungs-FET N 500 V 13 mA 1000 ? @ 0.5 mA 360 mW SOT-23

    Marke : microchip

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  • MOSFET N 25 V 64 A 12 m? PDFN-8 (5x6 mm) N, 2.2 W

    MOSFET N 25 V 64 A 12 m? PDFN-8 (5x6 mm) N, 2.2 W

    Power-MOSFETs, Hochgeschwindigkeits-N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: PDFN-8 (5x6 mm), Polarität: N, Verlustleistung: 2.2 W, MOSFET N 25 V 64 A 12 m? PDFN-8 (5x6 mm)

    Marke : microchip

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