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  • MOSFET N 60 V 12 A 104 m? @ A, V TO-252-3 N, 48 W

    MOSFET N 60 V 12 A 104 m? @ A, V TO-252-3 N, 48 W

    Power-MOSFETs, NTD/NTF/NTR, ON Semiconductor. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+75 °C, Gehäusetyp: TO-252-3, Polarität: N, Variante: N-Kanal, Enh., Verlustleistung: 48 W, MOSFET N 60 V 12 A 104 m? @ 12 A, 60 V TO-252-3

    Marke : on semiconductor

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  • Kleinleistungs-FET N 60 V 500 mA 5 ? @ 200 mA, 10 V 225 mW SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 60 V 500 mA 5 ? @ 200 mA, 10 V 225 mW SOT-23

    Kleinsignal-FET, ON Semiconductor. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: N-Kanal, Enh., Drain Strom: 500 mA, Verlustleistung: 225 mW, Kleinleistungs-FET N 60 V 500 mA 5 ? @ 200 mA, 10 V 225 mW SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor NPN 300 V 500 mA SOT-23

    Transistor NPN 300 V 500 mA SOT-23

    Hochspannungstransistoren, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 300 V, Verlustleistung: 225 mW, Transistor NPN 300 V 500 mA SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor NPN 80 V 500 mA 100 MHz SOT-23

    Transistor NPN 80 V 500 mA 100 MHz SOT-23

    Treibertransistoren, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Transistor NPN 80 V 500 mA 100 MHz SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor PNP 65 V 100 mA MHz SOT-23-3

    Transistor PNP 65 V 100 mA MHz SOT-23-3

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23-3, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: 65 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Verstärkung: 220 ...475, Verstärkung max.: 475, Verstärku

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor NPN 40 V 200 mA 300 MHz SOT-23

    Transistor NPN 40 V 200 mA 300 MHz SOT-23

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 40 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Verstärkung: 100 ...400, Verstärkung max.: 400, Verstärkung

    Marke : on semiconductor

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  • Kleinleistungs-FET N 60 V 380 mA 1.6 ? @ 500 mA, 10 V 300 mW SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 60 V 380 mA 1.6 ? @ 500 mA, 10 V 300 mW SOT-23

    Kleinsignal-FET, ON Semiconductor. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: N-Kanal, Enh., Drain Strom: 380 mA, Verlustleistung: 300 mW, Kleinleistungs-FET N 60 V 380 mA 1.6 ? @ 500 mA, 10 V 300 mW SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor NPN 50 V 100 mA 140 SOT-23-3

    Transistor NPN 50 V 100 mA 140 SOT-23-3

    Digitale Transistoren mit Widerständen, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 50 V, Verlustleistung: 246 mW, Transistor NPN 50 V 100 mA 140 SOT-23-3

    Marke : on semiconductor

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  • MOSFET N 60 V 3 A 120 m? @ 3.0 A, V SOT-223-3 N, 2.1 W

    MOSFET N 60 V 3 A 120 m? @ 3.0 A, V SOT-223-3 N, 2.1 W

    Power-MOSFETs, NTD/NTF/NTR, ON Semiconductor. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+75 °C, Gehäusetyp: SOT-223-3, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2.1 W, MOSFET N 60 V 3 A 120 m? @ 3.0 A, 60 V SOT-223-3

    Marke : on semiconductor

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