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  • IGBT 600 V 60 A 1.85 125 ns TO-247AD

    IGBT 600 V 60 A 1.85 125 ns TO-247AD

    IGBTs. Bezeichnung: IGBT, Gehäusetyp: TO-247AD, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 600 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 1.85 V, Stromabfallzeit: 125 ns, Verlustleistung: 270 W, IGBT 600 V 60 A 1.85 V 125 ns TO-247AD

    Marke : ixys

    Versanddauer: 72 Tage

    7,10 €

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  • MOSFET N 200 V 96 A 24 m? TO-3P N, 600 W

    MOSFET N 200 V 96 A 24 m? TO-3P N, 600 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-3P, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 600 W, MOSFET N 200 V 96 A 24 m? TO-3P

    Marke : ixys

    Versanddauer: 72 Tage

    5,86 €

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  • MOSFET N 100 V 75 A 25 m? TO-220 N, 360 W

    MOSFET N 100 V 75 A 25 m? TO-220 N, 360 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 360 W, MOSFET N 100 V 75 A 25 m? TO-220

    Marke : ixys

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    3,12 €

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  • IGBT 1200 V 50 A 2.5 ns TO-247AD

    IGBT 1200 V 50 A 2.5 ns TO-247AD

    IGBTs. Bezeichnung: IGBT, Gehäusetyp: TO-247AD, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 2.5 V, Stromabfallzeit: 50 ns, Verlustleistung: 300 W, IGBT 1200 V 50 A 2.5 V 50 ns TO-247AD

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 1000 V 0.8 A 20 ? DPAK N, 42 W

    MOSFET N 1000 V 0.8 A 20 ? DPAK N, 42 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: DPAK, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 42 W, MOSFET N 1000 V 0.8 A 20 ? DPAK

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 1000 V 0.8 A 20 ? TO-220 N, 42 W

    MOSFET N 1000 V 0.8 A 20 ? TO-220 N, 42 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 42 W, MOSFET N 1000 V 0.8 A 20 ? TO-220

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 1000 V 1.0 A 15 ? TO-220 N, 50 W

    MOSFET N 1000 V 1.0 A 15 ? TO-220 N, 50 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 50 W, MOSFET N 1000 V 1.0 A 15 ? TO-220

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 250 V 82 A 35 m? TO-3P N, 500 W

    MOSFET N 250 V 82 A 35 m? TO-3P N, 500 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-3P, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 500 W, MOSFET N 250 V 82 A 35 m? TO-3P

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 500 V 55 A 85 m? SOT-227B N, 600 W

    MOSFET N 500 V 55 A 85 m? SOT-227B N, 600 W

    N-Kanal Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: SOT-227B, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 600 W, MOSFET N 500 V 55 A 85 m? SOT-227B

    Marke : ixys

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