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  • Kleinleistungs-FET N 50 V 200 mA 3.5 ? @ mA, 5 V mW SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 50 V 200 mA 3.5 ? @ mA, 5 V mW SOT-23

    Kleinsignal-FET, ON Semiconductor. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Drain Strom: 200 mA, Verlustleistung: 200 mW, Kleinleistungs-FET N 50 V 200 mA 3.5 ? @ 200 mA, 5 V 200 mW SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • MOSFET N 40 V 340 A 1.75 m? TO-220 N, 380 W

    MOSFET N 40 V 340 A 1.75 m? TO-220 N, 380 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 380 W, MOSFET N 40 V 340 A 1.75 m? TO-220

    Marke : ir

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  • MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220 N, 375 W

    MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220 N, 375 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 375 W, MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220

    Marke : ir

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  • Leistungstransistor NPN 250 V 16 A W TO-3

    Leistungstransistor NPN 250 V 16 A W TO-3

    Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 250 V, Transitfrequenz: 4 MHz, Verlustleistung: 250 W, Verstärkung: 15 ...60, Verstärkung max.: 60, Verstärkung min.: 15, Leistungstransi

    Marke : on semiconductor

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  • MOSFET N 200 V 96 A 24 m? TO-247 N, 600 W

    MOSFET N 200 V 96 A 24 m? TO-247 N, 600 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-247, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 600 W, MOSFET N 200 V 96 A 24 m? TO-247

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 100 V 110 A 15 m? TO-3P N, 480 W

    MOSFET N 100 V 110 A 15 m? TO-3P N, 480 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-3P, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 480 W, MOSFET N 100 V 110 A 15 m? TO-3P

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 100 V 20 A 2.8 m? DirectFET N, 3.3 W

    MOSFET N 100 V 20 A 2.8 m? DirectFET N, 3.3 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: DirectFET, Polarität: N, Verlustleistung: 3.3 W, MOSFET N 100 V 20 A 2.8 m? DirectFET

    Marke : ir

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  • MOSFET 250 V 40 A 29 m? TO-247 MOSFET, 360 W

    MOSFET 250 V 40 A 29 m? TO-247 MOSFET, 360 W

    Power MOSFETs, TO-247, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -40...175 °C, Gehäusetyp: TO-247, Verlustleistung: 360 W, MOSFET 250 V 40 A 29 m? TO-247

    Marke : ir

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  • MOSFET N 30 V 9.1 A 11.9 m? SO-8 N, 2.5 W

    MOSFET N 30 V 9.1 A 11.9 m? SO-8 N, 2.5 W

    Power MOSFETs, SO-8, IR. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: SO-8, Polarität: N, Verlustleistung: 2.5 W, MOSFET N 30 V 9.1 A 11.9 m? SO-8

    Marke : ir

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