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  • Darlington-Transistor NPN 100 V 4 A 750 ... TO-126

    Darlington-Transistor NPN 100 V 4 A 750 ... TO-126

    Darlington-Leistungstransistoren. Bezeichnung: Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 100 V, Verlustleistung: 40 W, Verstärkung: 750 ..., Verstärkung min.: 750, Darlington-Transistor NPN 100 V 4 A 750 ......

    Marke : on semiconductor

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  • Leistungstransistor NPN 80 V 1.5 A 12 W TO-126

    Leistungstransistor NPN 80 V 1.5 A 12 W TO-126

    Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Verlustleistung: 12 W, Verstärkung: 40 ...250, Verstärkung max.: 250, Verstärkung min.: 40, Leistungstransistor NPN 80 V 1.5...

    Marke : on semiconductor

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  • Leistungstransistor NPN 140 V 10 A 117 W TO-3

    Leistungstransistor NPN 140 V 10 A 117 W TO-3

    Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 140 V, Transitfrequenz: 80 kHz, Verlustleistung: 117 W, Verstärkung: 20 ...70, Verstärkung max.: 70, Verstärkung min.: 20, Leistungstrans

    Marke : on semiconductor

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  • Leistungstransistor NPN 80 V 8 A 20 W TO-252-3DPAK TO-252-3DPAK

    Leistungstransistor NPN 80 V 8 A 20 W TO-252-3DPAK TO-252-3DPAK

    Leistungstransistoren. Bezeichnung: Leistungstransistor, Gehäusetyp: TO-252-3DPAK, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 80 V, Transitfrequenz: 85 MHz, Verlustleistung: 20 W, Verstärkung: 40 ...60, Verstärkung max.: 60, Verstärkung min.: 40, Leistung

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  • Kleinleistungs-FET N 30 V 500 mA 1 ? @ 0.56 A, 4 V 690 mW SOT-23

    Kleinleistungs-FET N 30 V 500 mA 1 ? @ 0.56 A, 4 V 690 mW SOT-23

    Kleinsignal-FET, ON Semiconductor. Bezeichnung: Kleinleistungs-FET, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: N-Kanal, Enh., Drain Strom: 500 mA, Verlustleistung: 690 mW, Kleinleistungs-FET N 30 V 500 mA 1 ? @ 0.56 A, 4 V 690 mW SOT-23

    Marke : on semiconductor

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  • Transistor NPN 65 V 100 mA MHz SOT-323

    Transistor NPN 65 V 100 mA MHz SOT-323

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-323, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 65 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 150 mW, Verstärkung: 200 ...450, Verstärkung max.: 450, Verstärkun

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  • Transistor PNP 40 V 200 mA 250 MHz SOT-23

    Transistor PNP 40 V 200 mA 250 MHz SOT-23

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: 40 V, Transitfrequenz: 250 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Verstärkung: 100 ...400, Verstärkung max.: 400, Verstärkung

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  • Transistor NPN 30 V 100 mA MHz SOT-23-3

    Transistor NPN 30 V 100 mA MHz SOT-23-3

    Kleinleistungstransistoren, SMD, ON Semiconductor. Bezeichnung: Transistor, Gehäusetyp: SOT-23-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 30 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 225 mW, Verstärkung: 200 ...450, Verstärkung max.: 450, Verstärku

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  • MOSFET P 30 V 1.95 A 200 m? @ A, 10 V SOT-23-3 P, 1.25 W

    MOSFET P 30 V 1.95 A 200 m? @ A, 10 V SOT-23-3 P, 1.25 W

    Power-MOSFETs, NTD/NTF/NTR, ON Semiconductor. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+75 °C, Gehäusetyp: SOT-23-3, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.25 W, MOSFET P 30 V 1.95 A 200 m? @ 1.95 A, 10 V SOT-23-3

    Marke : on semiconductor

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