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  • MOSFET N 150 V 180 A 10 m? TO-264 N, 800 W

    MOSFET N 150 V 180 A 10 m? TO-264 N, 800 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-264, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 800 W, MOSFET N 150 V 180 A 10 m? TO-264

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 200 V 120 A 17 m? SOT-227B N, 600 W

    MOSFET N 200 V 120 A 17 m? SOT-227B N, 600 W

    N-Kanal Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: SOT-227B, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 600 W, MOSFET N 200 V 120 A 17 m? SOT-227B

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 500 V 80 A 55 m? SOT-227B N, 780 W

    MOSFET N 500 V 80 A 55 m? SOT-227B N, 780 W

    N-Kanal Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: SOT-227B, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 780 W, MOSFET N 500 V 80 A 55 m? SOT-227B

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 100 V 170 A 9 m? TO-264 N, 715 W

    MOSFET N 100 V 170 A 9 m? TO-264 N, 715 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-264, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 715 W, MOSFET N 100 V 170 A 9 m? TO-264

    Marke : ixys

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  • IGBT 600 V 30 A 3 200 ns TO-247AD

    IGBT 600 V 30 A 3 200 ns TO-247AD

    IGBTs. Bezeichnung: IGBT, Gehäusetyp: TO-247AD, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 600 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 3 V, Stromabfallzeit: 200 ns, Verlustleistung: 200 W, IGBT 600 V 30 A 3 V 200 ns TO-247AD

    Marke : ixys

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  • IGBT 600 V 20 A 3 200 ns TO-247AD

    IGBT 600 V 20 A 3 200 ns TO-247AD

    IGBTs. Bezeichnung: IGBT, Gehäusetyp: TO-247AD, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 600 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 3 V, Stromabfallzeit: 200 ns, Verlustleistung: 150 W, IGBT 600 V 20 A 3 V 200 ns TO-247AD

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 250 V 42 A 84 m? TO-263 N, 300 W

    MOSFET N 250 V 42 A 84 m? TO-263 N, 300 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-263, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 300 W, MOSFET N 250 V 42 A 84 m? TO-263

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 1000 V 3.0 A 4.8 ? TO-220 N, 125 W

    MOSFET N 1000 V 3.0 A 4.8 ? TO-220 N, 125 W

    Leistungs-FETs, N-Kanal. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 125 W, MOSFET N 1000 V 3.0 A 4.8 ? TO-220

    Marke : ixys

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  • MOSFET N 800 V 34 A 0.24 ? TO-264 N, 500 W

    MOSFET N 800 V 34 A 0.24 ? TO-264 N, 500 W

    N-Kanal Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: TO-264, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 500 W, MOSFET N 800 V 34 A 0.24 ? TO-264

    Marke : ixys

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